SI1062X-T1-GE3
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
SI1062X-T1-GE3 datasheet
-
МаркировкаSI1062X-T1-GE3
-
ПроизводительSiliconix
-
ОписаниеSiliconix SI1062X-T1-GE3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 8 V Continuous Drain Current: 0.5 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.42 Omhs Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SC-89-3 Fall Time: 11 ns Forward Transconductance gFS (Max / Min): 7.5 S Gate Charge Qg: 1 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 0.22 W Rise Time: 14 ns Series: SI1062X Tradename: TrenchFET Typical Turn-Off Delay Time: 16 ns
-
Количество страниц8 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
12.06.2024
Сотрудничество двух компаний Sphere Entertainment Co. и STMicroelectronics позволило создать крупнейший в мире датчик изображения для системы камер Sphere's Big Sky. Big Sky — это новейшая система камер сверхвысокого разрешения, используемая для съемки контента для Sphere, развлекательного средства нового поколения в Лас-Вегасе.
' width="293" height="218" /> Крупнейший датчик изображения для системы камер Big Sky11.06.2024
10.06.2024